Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
MUN2212T1G
TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59
MUN2212T1G Hakkında
MUN2212T1G, onsemi tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) NPN bipolar transistördür. SC-59 (SOT-23-3) yüzey montajlı paketinde sunulmaktadır. 50V kolektör-emitter gerilimi, 100mA maksimum kolektör akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. Entegre 22kΩ'luk temel ve emitter-temel dirençleri içerir. 338mW güç dissipasyonu ve 250mV doyma gerilimi ile anahtarlama ve sinyal işleme devrelerinde tercih edilir. Tüketici elektroniği, bilgisayar çevre birimleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde kullanılan kompakt bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 338 mW |
| Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
| Supplier Device Package | SC-59 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok