Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
MUN2211JT1G
TRANS PREBIAS NPN 2.7W SC59
MUN2211JT1G Hakkında
MUN2211JT1G, onsemi tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) NPN bipolar transistördür. SC-59 (SOT-23-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, maksimum 100 mA collector akımı ve 50V Vce breakdown voltajı ile çalışır. Dahili 10kΩ base ve emitter-base dirençleri ile ön beslemeli konfigürasyona sahiptir. 230 mW maksimum güç disipasyonuna ve 250 mV Vce saturation voltajına sahiptir. DC current gain (hFE) 5mA, 10V koşullarında minimum 35 değerinde ölçülür. Düşük sinyal anahtarlama, lojik seviye dönüşümü ve hızlı switching uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Ön beslemeli yapısı sayesinde basit tasarım gereksinimleri ve azaltılmış devre kompleksitesi sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 230 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | SC-59 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok