Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

MUN2112T1G

TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC59

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
MUN2112T1G

MUN2112T1G Hakkında

MUN2112T1G, onsemi tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. SO-23 (SC-59) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, entegre 22 kOhm base ve emitter-base dirençleriyle donatılmıştır. Maksimum 100 mA kolektör akımı ve 50 V kırılma voltajı ile orta seviye anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 230 mW güç dağılım kapasitesi ve 60 (minimum) DC akım kazancı özellikleriyle lojik seviyeleri güç transistörlerine uyarlamak, röle kontrolü, LED sürücüsü ve benzer düşük-orta güç anahtarlama devrelerinde tercih edilir. Ön beslemeli tasarımı harici base dirençleri gerektirmez ve kompakt tasarımlar için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 10V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 230 mW
Resistor - Base (R1) 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 22 kOhms
Supplier Device Package SC-59
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok