Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
MT3S20TU(TE85L)
RF TRANS NPN 12V 7GHZ UFM
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- MT3S20TU
MT3S20TU(TE85L) Hakkında
MT3S20TU(TE85L), Toshiba tarafından üretilen NPN tipi RF transistördür. 7GHz transition frequency ve 12dB kazançla RF uygulamalarında kullanılır. 12V collector-emitter breakdown voltajı ile çalışan bu komponent, maksimum 80mA collector akımı ve 900mW güç dissipation kapasitesine sahiptir. 1.45dB noise figure değeri ile low-noise RF amplifier uygulamalarında tercih edilir. Surface mount UFM paketinde sunulan MT3S20TU, 150°C'ye kadar yüksek sıcaklık ortamlarında çalışabilir. Minimum 100 DC current gain (hFE) ile stabil amplifikasyon sağlar. Kablosuz haberleşme, radar sistemleri ve RF ön-uç tasarımlarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 50mA, 5V |
| Frequency - Transition | 7GHz |
| Gain | 12dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.45dB @ 20mA, 5V |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power - Max | 900mW |
| Supplier Device Package | UFM |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok