Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
MT3S20P(TE12L,F)
RF TRANS NPN 12V 7GHZ PW-MINI
- Paket/Kılıf
- TO-243AA
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- MT3S20P
MT3S20P(TE12L,F) Hakkında
MT3S20P(TE12L,F), Toshiba tarafından üretilen yüksek frekans NPN bipolar junction transistörüdür. 7GHz transition frequency ile RF uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 12V collector-emitter breakdown voltajında çalışan bu komponent, maksimum 80mA collector akımı ve 1.8W güç disipasyonu kapasitesine sahiptir. 1GHz'de 1.45dB noise figure değeri ile düşük gürültü RF devrelerinde tercih edilir. 16.5dB gain özelliği sayesinde amplifikasyon uygulamalarında etkili sonuçlar sağlar. Surface mount TO-243AA (PW-MINI) paketinde sunulur ve 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir. Haberleşme, radar, RF amplifikatör ve ön aşama düşük gürültü uygulamalarında kullanılır. Part status Last Time Buy olup stok sınırlıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 50mA, 5V |
| Frequency - Transition | 7GHz |
| Gain | 16.5dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.45dB @ 1GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-243AA |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power - Max | 1.8W |
| Supplier Device Package | PW-MINI |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok