Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
MT3S113TU,LF
RF TRANS NPN 5.3V 11.2GHZ UFM
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- MT3S113TU
MT3S113TU,LF Hakkında
MT3S113TU,LF, Toshiba tarafından üretilen yüksek frekans RF NPN transistörüdür. 11.2GHz transition frekansı ile UHF ve microwave uygulamalarında kullanılmaya uygun olacak şekilde tasarlanmıştır. 5.3V maksimum Vce darbelenme voltajı ve 100mA maksimum kolektör akımı ile düşük güç RF amplifikatörleri, osilatörler ve karıştırıcı devrelerinde uygulanır. 1.45dB gürültü şekli ve 12.5dB kazanç özelliği ile iletişim, radar ve uydu haberleşme sistemlerinde sinyal güçlendirme amaçlı tercih edilir. UFM SMD paketlemesi ile yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 30mA, 5V |
| Frequency - Transition | 11.2GHz |
| Gain | 12.5dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.45dB @ 1GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 900mW |
| Supplier Device Package | UFM |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 5.3V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok