Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
MT3S113(TE85L,F)
RF TRANS NPN 5.3V 12.5GHZ SMINI
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- MT3S113
MT3S113(TE85L,F) Hakkında
MT3S113(TE85L,F), Toshiba tarafından üretilen RF NPN bipolar junction transistörüdür. 12.5GHz transition frequency ile yüksek frekanslı uygulamalar için tasarlanmıştır. Maksimum 100mA collector akımı ve 5.3V breakdown voltajı ile çalışır. 1.45dB noise figure ve 11.8dB gain özellikleri ile RF amplifikasyonu, low-noise preamplifier ve mikrodalgaişlemci uygulamalarında kullanılmaktadır. Surface mount TO-236-3 (SOT-23-3) paketinde sunulan bu transistör, 150°C'ye kadar işletme sıcaklığında 800mW güç tüketebilir. DC current gain (hFE) minimum 200 (30mA, 5V'de) değeridir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 30mA, 5V |
| Frequency - Transition | 12.5GHz |
| Gain | 11.8dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.45dB @ 1GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 800mW |
| Supplier Device Package | S-Mini |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 5.3V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok