Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
MT3S113P(TE12L,F)
RF TRANS NPN 5.3V 7.7GHZ PW-MINI
- Paket/Kılıf
- TO-243AA
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- MT3S113P
MT3S113P(TE12L,F) Hakkında
MT3S113P(TE12L,F), Toshiba tarafından üretilen yüksek frekans NPN bipolar transistördür. 7.7GHz transition frekansı ve 5.3V collector-emitter breakdown voltajı ile RF uygulamalarında kullanılmaya tasarlanmıştır. 100mA maksimum collector akımı ve 1.45dB gürültü şekli ile özellikle düşük gürültü gerektiren RF alıcı devreleri, amplifikatörler ve sinyal işleme uygulamalarında tercih edilir. TO-243AA (PW-MINI) paket tipi ile yüzey montajlı uygulamalara uygun olup, 150°C çalışma sıcaklığında 1.6W güç disipasyonu kapasitesine sahiptir. 10.5dB kazanç değeri ile orta seviye güç amplifikasyonu sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 30mA, 5V |
| Frequency - Transition | 7.7GHz |
| Gain | 10.5dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.45dB @ 1GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-243AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.6W |
| Supplier Device Package | PW-MINI |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 5.3V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok