Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
MT3S111TU,LF
RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- MT3S111TU
MT3S111TU,LF Hakkında
MT3S111TU,LF, Toshiba tarafından üretilen RF SiGe NPN bipolar transistördür. 10GHz transition frekansı ile RF ve mikrodalga uygulamalarında kullanılan yüksek hızlı bir transistördir. 100mA maksimum kolektor akımı, 6V kolektor-emiter gerilim ve 800mW maksimum güç tüketimi özellikleri bulunmaktadır. 0.6-0.85dB gürültü şekli ile 500MHz-1GHz frekans aralığında düşük gürültü amplifikasyonu sağlar. 200 minimum DC akım kazancı (30mA, 5V'te) özellikleriyle amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir. 3-SMD flat lead paket tipi ile yüzey montaj tekniğine uygun tasarlanmıştır. -40°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir işletme sunmaktadır. Kablosuz haberleşme, düşük gürültü amplifikatörleri ve RF ön uç devrelerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 30mA, 5V |
| Frequency - Transition | 10GHz |
| Gain | 12.5dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 800mW |
| Supplier Device Package | UFM |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 6V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok