Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
MT3S111(TE85L,F)
RF TRANS NPN 6V 11.5GHZ SMINI
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- MT3S111
MT3S111(TE85L,F) Hakkında
MT3S111(TE85L,F), Toshiba tarafından üretilen NPN bipolar RF transistörüdür. 11.5GHz transition frekansı ile UHF ve microwave uygulamalarında kullanılmaya uygundur. Maximum 100mA kollektör akımı ve 700mW güç kapasitesi ile orta seviye RF amplifikasyon devrelerinde çalışmaktadır. 1.2dB gürültü şekli ve 12dB kazanç karakteristiği ile düşük gürültülü RF ön yükselticileri, karıştırıcılar ve genel RF amplifikasyon aşamalarında uygulanabilir. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, kompakt ve yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarında tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 30mA, 5V |
| Frequency - Transition | 11.5GHz |
| Gain | 12dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.2dB @ 1GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 700mW |
| Supplier Device Package | S-Mini |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 6V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok