Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
MT3S111P(TE12L,F)
RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI
- Paket/Kılıf
- TO-243AA
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- MT3S111P
MT3S111P(TE12L,F) Hakkında
MT3S111P(TE12L,F), Toshiba tarafından üretilen NPN bipolar RF transistörüdür. 8GHz transition frequency ile yüksek frekans uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 6V maksimum Vce breakdown voltajı ve 1W maksimum güç disipasyonu ile tasarlanmıştır. 1.25dB noise figure değeri ile düşük gürültülü amplifikasyon gerektiren uygulamalarda tercih edilir. 200 minimum DC current gain (hFE) değeri ile stabil amplifikasyon sağlar. Surface mount TO-243AA paketinde sunulan bu transistör, RF amplifikatör, LNA (Low Noise Amplifier), mixer ve diğer RF devrelerinde kullanılır. 150°C maksimum junction temperature ile çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 30mA, 5V |
| Frequency - Transition | 8GHz |
| Gain | 10.5dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.25dB @ 1GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-243AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1W |
| Supplier Device Package | PW-MINI |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 6V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok