Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MSRTA20060(A)D
DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Three Tower
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MSRTA20060
MSRTA20060(A)D Hakkında
MSRTA20060(A)D, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 600V 200A kapasiteli genel amaçlı doğrultucu diyotudur. Three Tower paket konfigürasyonunda seri bağlı diyot çiftinden oluşan bu komponent, yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 1.1V forward voltage (@200A) ve 10µA reverse leakage (@600V) özellikleri ile AC/DC dönüştürme, güç kaynakları ve endüstriyel doğrultulama devrelerinde yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen chassis mount tipi bu diyot, standart recovery karakteristiğine (>500ns) sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 200A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 600 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Series Connection |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Three Tower |
| Part Status | Active |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Three Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 200 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok