Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MSRTA200140(A)D
DIODE GEN 1.4KV 200A 3 TOWER
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Three Tower
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MSRTA200140
MSRTA200140(A)D Hakkında
MSRTA200140(A)D, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 1.4kV/200A kapasiteli güç doğrultma diyotudur. Three Tower konfigürasyonunda paketlenmiş, seri bağlantılı 1 pair diyot çiftini içerir. Standard recovery özelliği ile >500ns geçiş zamanına sahip bu bileşen, yüksek akım uygulamalarında yön denetimli akış sağlar. Forward voltajı 1.1V @ 200A, reverse leakage akımı 1400V'ta 10µA'dır. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışır. Chassis mount tipi güç kaynakları, UPS sistemleri, endüstriyel konvertörler ve yüksek akım doğrultma uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 200A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 1400 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Series Connection |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Three Tower |
| Part Status | Active |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Three Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1400 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 200 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok