Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MSRTA200120(A)D
DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Three Tower
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MSRTA200120
MSRTA200120(A)D Hakkında
MSRTA200120(A)D, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 1200V 200A kapasiteli endüstriyel doğrultma diyotudur. Üç tower (kule) konfigürasyonunda tasarlanmış bu komponent, yüksek akım uygulamalarında kullanılmak üzere geliştirilmiştir. Seri bağlı diod çiftinden oluşan yapısıyla AC/DC konversiyon, güç kaynakları, kaynak makinaları ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yer almaktadır. -55°C ile +150°C arasında çalışan komponent, 1.1V forward voltaj düşümü ve standart recovery karakteristikleri ile hassas güç yönetimi gerektiren uygulamalara uygundur. Chassis mount tipi montajı ile kolaylıkla entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 200A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 1200 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Series Connection |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Three Tower |
| Part Status | Active |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Three Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 200 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok