Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MSRTA200100(A)D
DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Three Tower
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MSRTA200100
MSRTA200100(A)D Hakkında
MSRTA200100(A)D, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 1000V 200A kapasiteli bir doğrultma diyotu dizisidir. Üç tower konfigürasyonunda seri bağlı diyot çiftinden oluşan bu bileşen, yüksek akım uygulamalarında doğrultma işlevi görmektedir. 200A ortalama doğrultulmuş akım ve 1000V ters voltaj dayanımı özellikleriyle güç dönüştürme, endüstriyel sürücüler ve enerji sistemlerinde kullanılır. Maksimum ileri gerilimi 200A'de 1.1V olan bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışır. Şasi montajlı paket tipi ile panellerde doğrudan entegrasyona uygun tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 200A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 1000 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Series Connection |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Three Tower |
| Part Status | Active |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Three Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 200 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok