Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MSRT250120(A)
DIODE MODULE 1.2KV 250A 3TOWER
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Three Tower
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MSRT250120
MSRT250120(A) Hakkında
MSRT250120(A), GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 1.2kV 250A kapasiteli diyot modülüdür. Three Tower paket tipinde chassis mount konfigürasyonda tasarlanmıştır. Modül, 1 Pair Common Cathode diyot konfigürasyonuna sahip standart doğrultucu diyotlardan oluşmaktadır. Maksimum forward voltajı 250A akımda 1.2V olarak belirtilmiştir. Ters kırılma voltajı (Vr) maksimum 1200V'dir. Ters sızıntı akımı 600V'de 15µA'dır. Standart recovery time >500ns olup, >200mA akımda ölçülmüştür. -55°C ile +150°C arasındaki çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Endüstriyel güç dönüştürme uygulamaları, invertör devreleri, AC/DC dönüştürücüler ve yüksek güçlü doğrultma işlemlerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 250A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 15 µA @ 600 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Three Tower |
| Part Status | Active |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Three Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2 V @ 250 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok