Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MSRT20060(A)
DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Three Tower
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MSRT20060
MSRT20060(A) Hakkında
MSRT20060(A), GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 600V 200A kapasiteli üç kule (three tower) yapıda bir doğrultucu diyot modülüdür. Common Cathode konfigürasyonunda tasarlanan bu bileşen, 200A DC ortalama doğrultulmuş akım ve 1.2V ileri gerilim düşümü ile çalışır. Standart kurtarma hızına sahip olan modül, -40°C ile 175°C arasında çalışır ve şasi montajı için uygun şekilde tasarlanmıştır. 600V maksimum ters gerilim ve 10µA ters kaçak akımı özellikleri ile endüstriyel doğrultucu uygulamaları, kaynak cihazları, kontrol sistemleri ve yüksek güçlü AC-DC dönüştürücülerde kullanılır. Three Tower paket tasarımı, kompakt kurulum ve verimli ısı dağıtımı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 200A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 600 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 175°C |
| Package / Case | Three Tower |
| Part Status | Active |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Three Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2 V @ 200 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok