Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MSRT200160(A)D
DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Three Tower
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MSRT200160
MSRT200160(A)D Hakkında
MSRT200160(A)D, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 1600V 200A kapasiteli üç tower konfigürasyonlu silikon doğrultma diyotudur. Standart recovery hızına sahip bu diyot, ortalama doğrultulmuş akım 200A'de çalışmak üzere tasarlanmıştır. 1.1V iletkeme voltajı ve 10µA ters kaçak akımı ile güç dönüştürme ve enerji yönetimi uygulamalarında kullanılır. Yüksek voltaj uygulamaları, endüstriyel konvertörler, UPS sistemleri ve benzer yüksek güç elektronik devrelerinde tercih edilir. Chassis mount tipi montaj ve -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığı aralığı ile geniş uygulama yelpazesine uyum sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 200A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 1600 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Series Connection |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Three Tower |
| Part Status | Active |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Three Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 200 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok