Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MSRT200160(A)
DIODE MODULE 1.6KV 200A 3TOWER
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Three Tower
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MSRT200160
MSRT200160(A) Hakkında
MSRT200160(A), GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 1.6kV rated voltaj ve 200A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahip güç diyot modülüdür. Common cathode konfigürasyonlu 1 pair diyot içeren bu bileşen, three tower kasa tipinde chassis mount olarak tasarlanmıştır. 1.2V forward voltage @ 200A ve 10µA reverse leakage @ 600V karakteristikleriyle, 1600V DC reverse voltage'a kadar çalışabilir. -40°C ile 175°C junction sıcaklık aralığında stabil performans sunmaktadır. Standard recovery tipi (>500ns, >200mA) diyot konfigürasyonuyla güç elektronikleri uygulamalarında, endüstriyel converters, invertors ve rectifier sistemlerinde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 200A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 600 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 175°C |
| Package / Case | Three Tower |
| Part Status | Active |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Three Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2 V @ 200 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok