Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MSRT200140(A)D
DIODE GEN 1.4KV 200A 3 TOWER
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Three Tower
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MSRT200140
MSRT200140(A)D Hakkında
MSRT200140(A)D, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen yüksek voltaj doğrultma diyotu dizisidir. 1400V DC ters voltaj dayanımı ve 200A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile tasarlanmıştır. Seri bağlantılı tek çift konfigürasyona sahip standard tipi diyot, 1.1V @ 200A iletkenlikteki iletiş voltajı ile karakterize edilir. Reverse leakage akımı 1400V'da 10µA'dir. Chassis mount three tower paket içinde sunulan komponent, -55°C ile 150°C arasındaki çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Standard recovery tipi olup 500ns üzerinde recovery süresi ve 200mA+ (Io) akım koşullarında çalışır. Yüksek voltaj güç kaynağı uygulamaları, inverter devreleri ve endüstriyel doğrultma sistemlerinde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 200A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 1400 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Series Connection |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Three Tower |
| Part Status | Active |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Three Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1400 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 200 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok