Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MSRT200120(A)D
DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Three Tower
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MSRT200120
MSRT200120(A)D Hakkında
MSRT200120(A)D, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 1.2kV 200A kapasiteli silikon doğrultucu diyotudur. Seri bağlantılı 1 çift diyot konfigürasyonu ile tasarlanmış olup, Three Tower paket tipi ile sunulmaktadır. Maksimum ters voltaj 1200V, ileriye doğru voltaj düşüşü 200A'de 1.1V'dur. -55°C ile +150°C junction sıcaklık aralığında çalışabilir. Standard recovery tipi diyot olup, 500ns üzerinde recovery zamanına sahiptir. Güç kaynakları, endüstriyel AC/DC konvertörleri, kaynak makinaları ve traction uygulamalarında kullanılır. Chassis mount tipi montajı ile mekanik ve elektriksel bağlantı sağlanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 200A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 1200 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Series Connection |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Three Tower |
| Part Status | Active |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Three Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 200 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok