Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MSRT200120(A)
DIODE MODULE 1.2KV 200A 3TOWER
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Three Tower
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MSRT200120
MSRT200120(A) Hakkında
MSRT200120(A), GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 1.2kV/200A kapasiteli diyot modülüdür. Three Tower paketlemeyle sunulan ürün, tek çift Common Cathode konfigürasyonuna sahip Standard recovery tipi diyotlardan oluşur. 1200V ters voltaj, 200A ortalama doğrultma akımı ve 1.2V forward voltage özelliğiyle endüstriyel güç uygulamalarında kullanılır. Chassis mount montaj tipi ile direkt montaj imkanı sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir. Enerji dönüşüm sistemleri, invertörler, UPS devreleri ve yüksek akımlı doğrultucu uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 200A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 600 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 175°C |
| Package / Case | Three Tower |
| Part Status | Active |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Three Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2 V @ 200 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok