Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MSRT200100(A)D
DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Three Tower
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MSRT200100
MSRT200100(A)D Hakkında
GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen MSRT200100(A)D, 1000V ters gerilim kapasitesi ve 200A ortalama doğrultulmuş akım özelliğine sahip bir güç doğrultma diyotudur. Seri bağlantılı 1 çift diyot konfigürasyonunda tasarlanmış bu komponent, yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. Standard recovery karakteristiği (>500ns) ile elektrik güç kaynakları, endüstriyel invertörler ve AC/DC dönüştürme uygulamalarında yer alır. 1.1V düşük forward voltajı ve 10µA ters sızıntı akımı ile enerji verimliliği sağlar. Chassis mount Three Tower paketinde sunulan komponent, -55°C ile 150°C arasında güvenli çalışma sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 200A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 1000 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Series Connection |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Three Tower |
| Part Status | Active |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Three Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 200 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok