Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MSRT200100(A)
DIODE MODULE 1KV 200A 3TOWER
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Three Tower
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MSRT200100
MSRT200100(A) Hakkında
MSRT200100(A), GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 1000V 200A doğrultma diyot modülüdür. Three Tower kasa tipinde chassis mount edilebilen bu komponent, ortak katot (Common Cathode) konfigürasyonunda iki diyot içerir. 1.2V forward voltaj ve 10µA reverse leakage karakteristiği ile DC doğrultma uygulamalarında kullanılır. -40°C ile 175°C sıcaklık aralığında çalışabilen modül, standart recovery hızına sahiptir. Endüstriyel güç kaynakları, invertörler ve doğrultma devreleri gibi yüksek akım uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 200A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 600 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 175°C |
| Package / Case | Three Tower |
| Part Status | Active |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Three Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2 V @ 200 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok