Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MSRT150120(A)D
DIODE GEN 1.2KV 150A 3 TOWER
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Three Tower
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MSRT150120
MSRT150120(A)D Hakkında
GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen MSRT150120(A)D, 1200V ters voltaj kapasitesiyle tasarlanmış yüksek akım doğrultma diyotudur. 150A ortalama doğrultulmuş akım (Io) desteği ile endüstriyel uygulamalarda kullanılmaya uygun olup, üç tower konfigürasyonunda chassis mount tipi paketleme sunmaktadır. Ön voltaj düşüşü 150A'de maksimum 1.1V seviyesinde tutulan bu bileşen, standart kurtarma hızı karakteristiğine sahip olup -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Yüksek akım uygulamaları, konverter topologyileri ve güç elektronik sistemlerinde kullanıma uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 150A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 1200 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Series Connection |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Three Tower |
| Part Status | Active |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Three Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 150 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok