Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MSRT10080(A)D
DIODE GEN PURP 800V 100A 3 TOWER
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Three Tower
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MSRT10080
MSRT10080(A)D Hakkında
MSRT10080(A)D, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 800V/100A kapasiteli genel amaçlı doğrultma diyodudur. Üç tower paket tasarımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmak üzere geliştirilmiştir. 1.1V forward voltage ile 100A akım iletimi yapabilen bu diyot, 10µA ters kaçak akımı ve 800V maksimum reverse voltage özelliğine sahiptir. Standard recovery tipi, -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. AC/DC güç kaynakları, endüstriyel konvertörler ve ağır akım doğrultma devrelerinde yaygın olarak uygulanır. Chassis mount yapısı, direkt soğutma sistemlerine entegrasyonu kolaylaştırır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 100A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 800 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Series Connection |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Three Tower |
| Part Status | Active |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Three Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 800 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 100 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok