Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MSRT100120(A)D
DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Three Tower
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MSRT100120
MSRT100120(A)D Hakkında
MSRT100120(A)D, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 1200V 100A kapasiteli silikon doğrultucu diyottur. Three Tower paket formatında chassis mount tipi olarak tasarlanmış olup, standart recovery hızına sahiptir. 1.1V forward voltage değeriyle 100A akım altında çalışabilir ve 10µA reverse leakage akımına sahiptir. -55°C ile 150°C arasında junction sıcaklıklarında güvenilir çalışma sağlar. Yüksek gerilim endüstriyel uygulamalarında, enerji dönüştürme sistemlerinde, UPS cihazlarında ve güç elektrik devrelerinde doğrultma görevini yerine getirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 100A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 1200 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Series Connection |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Three Tower |
| Part Status | Active |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Three Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 100 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok