Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MSRT100100(A)D
DIODE GEN 1KV 100A 3 TOWER
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Three Tower
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MSRT100100
MSRT100100(A)D Hakkında
MSRT100100(A)D, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 1000V ters gerilimine sahip 100A ortalama doğrultulmuş akıma kapaklı bir güç doğrultucu diyotudur. Three Tower (üç kule) kasa tipinde chassis montaj için tasarlanmıştır. Standart hızda çalışan diyot, 1.1V maksimum ileri gerilim düşüşüne sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu komponent, yüksek akım uygulamalarında verimli doğrultma sağlar. Endüstriyel güç kaynakları, invertörler ve AC/DC dönüştürücüler gibi ağır yüklemeli elektrik sistemlerinde kullanılır. Düşük ters sızıntı akımı (10µA @ 1000V) ile karakterize edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 100A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 1000 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Series Connection |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Three Tower |
| Part Status | Active |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Three Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 100 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok