Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

MSD602-RT1G

TRANS NPN 50V 500MA SC59

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
MSD602

MSD602-RT1G Hakkında

MSD602-RT1G, onsemi tarafından üretilen bir NPN bipolar junction transistörüdür. SC-59 (SOT-23-3) yüzey montajlı paket ile sunulan bu bileşen, maksimum 50V kollektör-emiter voltajı ve 500mA kollektör akımı kapasitesine sahiptir. 120 (minimum) DC akım kazancı ile düşük sinyalli amplifikasyon ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 150°C işletme sıcaklığına kadar çalışabilir ve maksimum 200mW güç dağıtabilir. Gömülü sistemler, sensör arayüzleri ve kontrol elektronikleri gibi uygulamalarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 150mA, 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 200 mW
Supplier Device Package SC-59
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 30mA, 300mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok