Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

MSD601-RT1G

TRANS NPN 50V 100MA SC59

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
MSD601

MSD601-RT1G Hakkında

MSD601-RT1G, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar transistördür. SC-59 (SOT-23-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, maksimum 50V collector-emitter gerilimi ve 100mA collector akımı ile çalışabilir. 200mW güç tüketimi desteği ve 210 minimum DC akım kazancı (hFE), düşük sinyal amplifikasyonu ve anahtarlama uygulamalarında kullanılabilmesini sağlar. Kompakt boyutu ve düşük güç tüketimi, taşınabilir cihazlar, ses sistemleri ve genel amaçlı elektronik devrelerde tercih edilmesini yaygınlaştırmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 210 @ 2mA, 10V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 200 mW
Supplier Device Package SC-59
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok