Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

MSD1328-RT1G

TRANS NPN 20V 0.5A SC-59

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
MSD1328

MSD1328-RT1G Hakkında

MSD1328-RT1G, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). SC-59 (SOT-23-3) yüzey montaj paketi ile sunulan bu bileşen, maksimum 20V VCE breakdown voltajı ve 500mA kolektör akımı kapasitesine sahiptir. 200mW maksimum güç dissipasyonu ile çalışır ve 150°C'ye kadar işletme sıcaklığında güvenilir performans sunar. DC akım kazancı (hFE) 500mA, 2V koşullarında minimum 200'dür. Küçük sinyal amplifikasyonu, anahtarlama uygulamaları ve düşük güçlü lojik devreleri için kullanılan kompakt bir transistördür.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 500mA, 2V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power - Max 200 mW
Supplier Device Package SC-59
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 20mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 20 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok