Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
MSCSM70VM10C4AG
PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP4
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- MSCSM70VM10C4
MSCSM70VM10C4AG Hakkında
MSCSM70VM10C4AG, Microchip Technology tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) tabanlı N-Channel MOSFET dizi modülüdür. Phase leg konfigürasyonunda iki adet transistör içeren bu bileşen, 700V drenaj-kaynak gerilimi ve 238A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç elektronik uygulamalarında kullanılır. 9.5mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. İnverter, konvertör ve motor sürücü devreleri gibi yüksek gerilim güç dönüştürme sistemlerinde uygulanır. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 238A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700V |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 2 N Channel (Phase Leg) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 430nC @ 20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9000pF @ 700V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 674W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5mOhm @ 80A, 20V |
| Supplier Device Package | SP4 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 8mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok