Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
MSCSM70TLM19C3AG
PM-MOSFET-SIC-SBD-SP3F
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- MSCSM70TLM19C3
MSCSM70TLM19C3AG Hakkında
MSCSM70TLM19C3AG, Microchip Technology tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) tabanlı 4 N-Channel MOSFET dizi modülüdür. Three Level Inverter uygulamaları için tasarlanan bu komponent, 700V Drain-Source voltajında 124A sürekli akım kapasitesine sahiptir. 19mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 365W maksimum güç yayabilir. SP3F paketinde sunulan bu modül, 2.4V gate threshold voltajı ve 215nC gate charge ile hızlı komütasyon özellikleri gösterir. Enerji dönüşüm sistemleri, inverterler ve yüksek frekanslı güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 124A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700V |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 4 N-Channel (Three Level Inverter) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 215nC @ 20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4500pF @ 700V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 365W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 40A, 20V |
| Supplier Device Package | SP3F |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 4mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok