Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

MSCSM70TLM10C3AG

PM-MOSFET-SIC-SBD-SP3F

Paket/Kılıf
Module
Seri / Aile Numarası
MSCSM70TLM10C3AG

MSCSM70TLM10C3AG Hakkında

Microchip Technology tarafından üretilen MSCSM70TLM10C3AG, Silicon Carbide (SiC) tabanlı 4 kanal N-Channel MOSFET dizisi içeren bir güç modülüdür. 700V Vdss derecelendirilmesi ile 25°C'de 241A sürekli dren akımı sağlayabilir. Maksimum 690W güç yönetim kapasitesine sahip olan bu modül, 9.5mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sunar. -40°C ile 175°C arasında çalışabilir. Yüksek voltaj uygulamalarında, elektrik dönüştürücülerde, güç kaynakları ve inverter tasarımlarında kullanılır. Through Hole monte tipi ile PCB'ye doğrudan entegrasyon sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 241A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 700V
FET Feature Silicon Carbide (SiC)
FET Type 4 N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 430nC @ 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9000pF @ 700V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case Module
Part Status Active
Power - Max 690W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 80A, 20V
Supplier Device Package Module
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 8mA (Typ)

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok