Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

MSCSM70TLM07CAG

PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C

Paket/Kılıf
Module
Seri / Aile Numarası
MSCSM70TLM07CAG

MSCSM70TLM07CAG Hakkında

Microchip Technology tarafından üretilen MSCSM70TLM07CAG, Silicon Carbide (SiC) tabanlı N-Channel MOSFET dizisi olup, üç seviyeli inverter uygulamaları için tasarlanmıştır. 700V Drain-Source voltajında 349A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu modül, 966W maksimum güç işleme kabiliyeti ile sunuyor. 6.4mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 645nC gate charge ve 13500pF input kapasitans değerleri ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. -40°C ile 175°C arasında çalışabilen modül, SP6C paket tipinde sunulan Chassis Mount yapısı ile endüstriyel güç dönüşüm, yenilenebilir enerji ve elektrik taşıt uygulamalarında kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 349A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 700V
FET Feature Silicon Carbide (SiC)
FET Type 4 N-Channel (Three Level Inverter)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 645nC @ 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 13500pF @ 700V
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case Module
Part Status Active
Power - Max 966W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.4mOhm @ 120A, 20V
Supplier Device Package SP6C
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 12mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok