Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

MSCSM70TLM05CAG

PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C

Paket/Kılıf
Module
Seri / Aile Numarası
MSCSM70TLM05CAG

MSCSM70TLM05CAG Hakkında

Microchip Technology tarafından üretilen MSCSM70TLM05CAG, Silicon Carbide (SiC) teknolojisini kullanan yüksek voltaj MOSFET dizi modülüdür. Üç seviye invertör uygulamaları için tasarlanmış bu bileşen, 4 N-Channel FET içermektedir. 700V drain-source gerilim desteği ve 464A sürekli drenaj akımı kapasitesi sayesinde güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. Düşük gate charge (860nC) ve 4.8mOhm on-resistance özellikleri ile anahtarlama kayıplarını minimize eder. Endüstriyel sürücü sistemleri, traktör inverter uygulamaları ve yenilenebilir enerji dönüştürme sistemlerinde yaygın olarak tercih edilmektedir. Chassis Mount konfigürasyonu ile güvenli ısıl yönetim sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 464A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 700V
FET Feature Silicon Carbide (SiC)
FET Type 4 N-Channel (Three Level Inverter)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 860nC @ 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 18000pF @ 700V
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case Module
Part Status Active
Power - Max 1277W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8mOhm @ 160A, 20V
Supplier Device Package SP6C
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 16mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok