Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

MSCSM70TAM10CTPAG

PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP6P

Paket/Kılıf
Module
Seri / Aile Numarası
MSCSM70TAM10CTPAG

MSCSM70TAM10CTPAG Hakkında

Microchip Technology tarafından üretilen MSCSM70TAM10CTPAG, 6 N-Channel Silicon Carbide (SiC) MOSFET transistör dizisidir. 700V Drain-Source voltajında 238A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile 3-fazlı köprü (3-Phase Bridge) konfigürasyonunda kullanılan güç elektronik uygulamalarına uygundur. Chassis mount SP6-P paket tipiyle sunulan bu modül, 9.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. 430nC gate charge ve 9000pF input capacitance özellikleriyle hızlı switching işlemleri gerçekleştirir. -40°C ile 175°C arasında çalışabilen bu komponent, endüstriyel güç dönüştürücü, inverter, elektrik araç tahrik sistemleri ve yenilenebilir enerji uygulamalarında kullanılmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 238A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 700V
FET Feature Silicon Carbide (SiC)
FET Type 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 430nC @ 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9000pF @ 700V
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case Module
Part Status Active
Power - Max 674W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 80A, 20V
Supplier Device Package SP6-P
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 8mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok