Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
MSCSM70HM19CT3AG
PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- MSCSM70HM19CT
MSCSM70HM19CT3AG Hakkında
Microchip Technology tarafından üretilen MSCSM70HM19CT3AG, 4 adet N-Channel Silicon Carbide (SiC) MOSFET'i içeren bir güç elektronikleri modülüdür. 700V drain-source gerilimi ve 124A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 19mΩ on-state direnci sayesinde enerji kaybı minimize edilir. Geniş sıcaklık aralığında (-40°C ~ 175°C) işlem yapabilen bu komponent, endüstriyel sürücüler, güç kaynakları, güneş enerjisi inverteleri ve elektrik araç şarjlama sistemleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Şasi montajı için tasarlanmış modul paketinde sunulur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 124A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700V |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 4 N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 215nC @ 20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4500pF @ 700V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 365W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 40A, 20V |
| Supplier Device Package | SP3F |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 4mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok