Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

MSCSM70DUM10T3AG

PM-MOSFET-SIC-SP3F

Paket/Kılıf
Module
Seri / Aile Numarası
MSCSM70DUM10T3AG

MSCSM70DUM10T3AG Hakkında

MSCSM70DUM10T3AG, Microchip Technology tarafından üretilen Silikon Karbür (SiC) tabanlı Dual N-Channel MOSFET'tir. 700V drain-source voltajında 241A sürekli drenaj akımı sağlayabilen bu transistör dizi, yüksek güç uygulamalarında kullanılan PM-MOSFET-SiC-SP3F yapısına sahiptir. 9.5mOhm (Rds(On)) düşük iletim direnci ve 430nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. -40°C ile +175°C aralığında çalışan bu modül, enerji dönüşüm sistemleri, güç kaynakları, elektrikli araç sürücüleri ve endüstriyel uygulamalarda kullanılır. SP3F paketinde Chassis Mount konfigürasyonu ile sunulur ve aktif bir üründür.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 241A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 700V
FET Feature Silicon Carbide (SiC)
FET Type 2 N-Channel (Dual) Common Source
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 430nC @ 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9000pF @ 700V
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case Module
Part Status Active
Power - Max 690W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 80A, 20V
Supplier Device Package SP3F
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 8mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok