Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

MSCSM70DUM017AG

PM-MOSFET-SIC-SP6C

Paket/Kılıf
Module
Seri / Aile Numarası
MSCSM70DUM017AG

MSCSM70DUM017AG Hakkında

Microchip Technology tarafından üretilen MSCSM70DUM017AG, Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayanan yüksek güç yoğunluğuna sahip dual N-Channel MOSFET modülüdür. 700V drain-source gerilimi ve 1021A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 2.1mΩ on-resistance değeri ile konverter, inverter, motor sürücü ve güç elektronik sistemlerinde yer alır. Chassis mount konfigürasyonu ve -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı, endüstriyel ve otomotiv uygulamaları için uygun performans sunar. 2750W maksimum güç kapasitesi ile düşük kayıp ve verimli anahtarlama gerektiren sistemlerde tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1021A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 700V
FET Feature Silicon Carbide (SiC)
FET Type 2 N-Channel (Dual) Common Source
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1935nC @ 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 40500pF @ 700V
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case Module
Part Status Active
Power - Max 2750W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1mOhm @ 360A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 36mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok