Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
MSCSM70AM19CT1AG
PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP1F
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- MSCSM70AM19CT
MSCSM70AM19CT1AG Hakkında
MSCSM70AM19CT1AG, Microchip Technology tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) tabanlı Power MOSFET dizi modülüdür. 700V drain-source gerilimi ve 124A sürekli drenaj akımına sahip bu bileşen, 2 N-Channel transistörden oluşan Phase Leg konfigürasyonunda tasarlanmıştır. 19mΩ on-state direnci ve 215nC maksimum gate charge değerleri ile düşük kayıplar ve hızlı anahtarlama karakteristiği sunar. Geniş sıcaklık aralığında (-40°C ile +175°C arası) çalışabilen bu modül, çassis montaj tipi ve SP1F paket formatında gelir. Endüstriyel güç uygulamaları, UPS sistemleri, inverterler ve yüksek voltajlı DC-DC konvertörlerde kullanım için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 124A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700V |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 2 N Channel (Phase Leg) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 215nC @ 20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4500pF @ 700V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 365W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 40A, 20V |
| Supplier Device Package | SP1F |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 4mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok