Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
MSCSM70AM10CT3AG
PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- MSCSM70AM10CT
MSCSM70AM10CT3AG Hakkında
Microchip Technology tarafından üretilen MSCSM70AM10CT3AG, Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayalı bir PM-MOSFET modülüdür. 2 adet N-Channel FET'i içeren fase bacağı konfigürasyonunda tasarlanmıştır. 700V Drain-Source geriliminde 241A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 9.5mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. SP3F pakette chassis mount olarak sunulan bu bileşen, güç dönüşüm devreleri, inverterler, motorlar sürücü ve yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. -40°C ile 175°C arasında çalışır ve 690W maksimum güç dissipasyonu kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 241A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700V |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 2 N Channel (Phase Leg) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 430nC @ 20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9000pF @ 700V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 690W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5mOhm @ 80A, 20V |
| Supplier Device Package | SP3F |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 8mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok