Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

MSCSM170TLM45C3AG

PM-MOSFET-SIC-SBD-SP3F

Paket/Kılıf
Module
Seri / Aile Numarası
MSCSM170TLM45C3AG

MSCSM170TLM45C3AG Hakkında

Microchip Technology tarafından üretilen MSCSM170TLM45C3AG, Silicon Carbide (SiC) tabanlı 4 N-Channel MOSFET dizi modülüdür. Üç seviyeli invertör uygulamaları için tasarlanmış bu komponent, 1700V yüksek gerilim ortamında 64A sürekli drenaj akımı sağlar. 45mΩ maksimum RDS(on) değeri düşük iletim kayıpları sağlar. -40°C ile +175°C sıcaklık aralığında çalışabilen SP3F şasis montaj paketinde sunulan modül, güç elektroniği, endüstriyel sürücüler ve yenilenebilir enerji uygulamalarında kullanılır. 319W maksimum güç dağıtım kapasitesi ile tasarlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 64A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1700V (1.7kV)
FET Feature Silicon Carbide (SiC)
FET Type 4 N-Channel (Three Level Inverter)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 178nC @ 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3300pF @ 1000V
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case Module
Part Status Active
Power - Max 319W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 30A, 20V
Supplier Device Package SP3F
Vgs(th) (Max) @ Id 3.2V @ 2.5mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok