Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
MSCSM170TLM23C3AG
PM-MOSFET-SIC-SBD-SP3F
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- MSCSM170TLM23C3AG
MSCSM170TLM23C3AG Hakkında
MSCSM170TLM23C3AG, Microchip Technology tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) tabanlı bir PM-MOSFET modülüdür. Dört N-Channel transistörden oluşan bu bileşen, üç seviyeli invertör uygulamaları için tasarlanmıştır. 1700V drain-source gerilim dayanımı ve 124A sürekli dren akımı özelliğiyle, yüksek voltaj güç dönüştürme sistemlerinde kullanılır. Düşük gate charge (356nC) ve 22.5mOhm on-resistance değerleriyle anahtarlama kayıplarını azaltır. -40°C ile +175°C arasında çalışabilen bu modül, endüstriyel güç uygulamaları, elektrikli araç şarj sistemleri ve yenilenebilir enerji sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 124A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1700V (1.7kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 4 N-Channel (Three Level Inverter) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 356nC @ 20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6600pF @ 1000V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 602W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22.5mOhm @ 60A, 20V |
| Supplier Device Package | SP3F |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.2V @ 5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok