Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

MSCSM170TLM11CAG

PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C

Paket/Kılıf
Module
Seri / Aile Numarası
MSCSM170TLM11CAG

MSCSM170TLM11CAG Hakkında

Microchip Technology tarafından üretilen MSCSM170TLM11CAG, Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayalı 4 N-Channel MOSFET dizisidir. Three Level Inverter uygulamaları için tasarlanan bu bileşen, 1700V drain-source gerilimi ve 238A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 11.3mΩ (120A, 20V) on-state direnci ile düşük kayıp değerleri sunar. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans gösterir. SP6C modül paketinde sunulan bileşen, yüksek gerilim güç dönüştürme sistemlerinde, endüstriyel sürücü uygulamalarında ve enerji dönüştürücülerde kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 238A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1700V (1.7kV)
FET Feature Silicon Carbide (SiC)
FET Type 4 N-Channel (Three Level Inverter)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 712nC @ 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 13200pF @ 1000V
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case Module
Part Status Active
Power - Max 1114W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.3mOhm @ 120A, 20V
Supplier Device Package SP6C
Vgs(th) (Max) @ Id 3.2V @ 10mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok