Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
MSCSM170DUM23T3AG
PM-MOSFET-SIC-SP3F
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- MSCSM170DUM23T3AG
MSCSM170DUM23T3AG Hakkında
Microchip Technology MSCSM170DUM23T3AG, Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayalı dual N-channel MOSFET modülüdür. 1700V drain-source voltaj ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 25°C'de 124A sürekli dren akımı kapasitesi bulunmaktadır. 602W maksimum güç, 22.5mOhm RDS(on) ve 356nC gate charge özelliğine sahiptir. -40°C ile +175°C aralığında çalışabilir. Chassis mount SP3F paketinde sunulan bu modül, güç dönüştürücüler, invertör ve DC-DC dönüştürücü gibi endüstriyel uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 124A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1700V (1.7kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 356nC @ 20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6600pF @ 1000V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 602W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22.5mOhm @ 60A, 20V |
| Supplier Device Package | SP3F |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.2V @ 5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok