Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
MSCSM170DUM11T3AG
PM-MOSFET-SIC-SP3F
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- MSCSM170DUM11T3AG
MSCSM170DUM11T3AG Hakkında
MSCSM170DUM11T3AG, Microchip Technology tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) tabanlı dual N-Channel MOSFET modulüdür. 1700V Drain-Source voltajı ve 240A sürekli drenaj akımı ile yüksek voltaj ve yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 11.3mΩ (120A, 20V koşullarında) on-resistance değeri, düşük güç kaybı sağlar. 1140W maksimum güç kapasitesiyle endüstriyel invertörler, çevirici devreler, motor kontrol sistemleri ve yenilenebilir enerji uygulamalarında yer alır. -40°C ile 175°C arasında çalışan bu komponent, chassis mount SP3F paketi ile sunulmaktadır. 712nC gate charge değeri hızlı anahtarlama özelliği gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 240A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1700V (1.7kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 712nC @ 20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13200pF @ 1000V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1140W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.3mOhm @ 120A, 20V |
| Supplier Device Package | SP3F |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.2V @ 10mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok