Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
MSCSM170DUM058AG
PM-MOSFET-SIC-SP6C
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- MSCSM170DUM058AG
MSCSM170DUM058AG Hakkında
MSCSM170DUM058AG, Microchip Technology tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) tabanlı dual N-channel MOSFET modülüdür. 1700V drain-source gerilimi ve 353A sürekli dren akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 7.5mΩ on-resistance değeri ile güç kaybı minimize edilmiş, 1642W maksimum güç yönetiminde tasarlanmıştır. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-40°C ~ 175°C) ile enerji dönüştürme sistemleri, indüktif yükler ve anahtarlama devrelerinde uygulanır. Chassis mount konfigürasyonu ile endüstriyel ve elektrik taşıt uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 353A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1700V (1.7kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1068nC @ 20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 19800pF @ 1000V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1642W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5mOhm @ 180A, 20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.3V @ 15mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok