Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
MSCSM170DUM039AG
PM-MOSFET-SIC-SP6C
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- MSCSM170DUM039AG
MSCSM170DUM039AG Hakkında
Microchip Technology tarafından üretilen MSCSM170DUM039AG, Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayalı dual N-channel MOSFET dizi modülüdür. 1700V drain-source voltaj derecelendirmesi ve 523A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 5mOhm on-direnci, düşük enerji kaybı sağlar. Bağlantı noktaları ortak kaynakta yapılandırılmıştır. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-40°C ~ 175°C), endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygun hale getirmektedir. Yüksek voltaj güç dönüştürme, şarj isimlendirmesi ve enerji dağıtım sistemlerinde tercih edilir. Chassis mount modül tipi, doğrudan soğutucu montajına imkan verir. 2400W maksimum güç derecelendirmesi ile enerji yoğun uygulamalar için tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 523A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1700V (1.7kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1602nC @ 20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 29700pF @ 1000V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2400W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 270A, 20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.3V @ 22.5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok