Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
MSCSM120TLM50C3AG
PM-MOSFET-SIC-SBD-SP3F
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- MSCSM120TLM50C3AG
MSCSM120TLM50C3AG Hakkında
Microchip Technology tarafından üretilen MSCSM120TLM50C3AG, Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayalı 4 kanal N-Channel MOSFET dizisidir. 1200V dren-kaynak gerilimi ve 55A sürekli dren akımı kapasitesiyle yüksek güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 50mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Three Level Inverter konfigürasyonuna uygun SP3F şase montajlı modül paketi içerisinde sunulmaktadır. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir ve maksimum 245W güç yönetimi kapasitesi bulunmaktadır. Yüksek frekanslı anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürücüler, fotovoltaik sistemler ve endüstriyel motor sürücülerinde kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 55A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 4 N-Channel (Three Level Inverter) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 137nC @ 20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1990pF @ 1000V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 245W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 40A, 20V |
| Supplier Device Package | SP3F |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.7V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok